Samsung ได้เริ่มส่งมอบชิป GAA ขนาด 3 นาโนเมตร ชุดแรกให้กับลูกค้า โดยได้จัดพิธีการจัดส่งชิปตัวแรกที่ผลิตบนกระบวนการ 3 นาโนเมตร
พิธีดังกล่าวจัดขึ้นที่จังหวัดคย็องกี ประเทศเกาหลีใต้ โดยมีผู้เข้าร่วม 100 คน รวมถึงผู้บริหารของ Samsung , นักการเมือง , และพนักงานที่สำคัญทุกคนที่เข้าร่วมในการพัฒนาและผลิตชิป GAA 3nm จำนวนมาก
CEO Gye-hyun Kye หัวหน้าแผนก DS ของ Samsung Electronics กล่าวว่า “Samsung Electronics ได้พัฒนาเทคโนโลยี MBCFET Gate-All-Around มาตั้งแต่ปี 2017 และมาแทนที่สถาปัตยกรรม FinFET ที่ใช้กันทั่วไป ซึ่งให้ประสิทธิภาพที่เพิ่มขึ้นอย่างมากถึง 23 % และเพิ่มประสิทธิภาพด้วยการใช้พลังงานที่ลดลงถึง 45% โดยชิป 3nm รุ่นที่สองอยู่ในระหว่างดำเนินการ โดยมีเป้าหมายในการลดการใช้พลังงานลงได้ถึง 50% และประสิทธิภาพอีก 35%”
สำหรับตอนนี้ ลูกค้ารายแรกที่ได้รับการยืนยันสำหรับการใช้ชิปนั้นรวมถึงการขุดคริปโต ด้วยข้อได้เปรียบของประสิทธิภาพที่ใช้พลังงานต่ำและประสิทธิภาพที่สูงขึ้น Dr. Siyoung Choi ประธานผู้ก่อตั้ง Samsung Foundry อธิบายว่าชิปเซ็ตการขุดแบบ 3nm ตัวใหม่นั้นมีประสิทธิภาพด้านพลังงานมากกว่าชิปเซ็ตที่ผลิตก่อนหน้าประมาณ 23 ถึง 45% และสามารถลดการปล่อยคาร์บอนที่เกี่ยวข้องกับการขุดคริปโตเคอเรนซีได้อย่างมาก
สำหรับผู้บริโภค เราอาจได้เห็นชิปเซ็ต 3nm ใหม่ใน Exynos 2300 ที่จะมาถึง หรือแม้แต่ Snapdragon 8 รุ่นที่สองของ Qualcomm ที่จะเปิดตัวใน Samsung Galaxy S23 ที่จะเปิดตัวเร็ว ๆ นี้
อ้างอิง : LINK
